IBM:5nm加持的手机电池寿命将提高2~3倍
发布时间:2018-12-16 04:43 所属栏目:41 来源:互联网
导读:IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型芯片的制作,其采用的是7nm FinFET工艺、EUV极紫外光刻技术。 今天,IBM宣布,摩尔定律并未终止,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。 这是什么概念? 我们以目前量产10nm的骁龙835举例,后者在相似大小
IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型芯片的制作,其采用的是7nm FinFET工艺、EUV极紫外光刻技术。 今天,IBM宣布,摩尔定律并未终止,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。 这是什么概念? 我们以目前量产10nm的骁龙835举例,后者在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。 IBM强调,同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处,比如降低成本、提高性能,而且非常重要的一点是,5nm加持下,现有设备如手机的电池寿命将提高2~3倍。 另外,此前的资料显示,5nm可能是物理极限,,为此,IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。 (编辑:ASP站长网) |
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