东芝第三代 SiC MOS 功能提升 80% 将在 8 月下旬量产

发布时间：2022-08-13 11:08 所属栏目：15 来源：互联网

导读：据东芝近日官网宣布，他们的第三代 SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年 8 月下旬开始量产。虽然上述器件结构可以显著提升可靠性，可它却有着无法规避的缺点特定导通电阻和性能指标（Ron *Q gd）会增加，从而降低 MOSFET 的性能；此外，为了降低导通电

　　据东芝近日官网宣布，他们的第三代 SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年 8 月下旬开始量产。

　　虽然上述器件结构可以显著提升可靠性，可它却有着无法规避的缺点 —— 特定导通电阻和性能指标（Ron *Q gd）会增加，从而降低 MOSFET 的性能；此外，为了降低导通电阻，第二代 SiC MOSFET 必须增加芯片面积，而这也会带来成本的增加。

　　因此，东芝加紧对该器件结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代 SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20%。

　　今年 Q1，东芝宣布将利用自身在半导体制造设备技术方面的优势，在内部生产用于功率半导体的碳化硅外延片；并且投资 55 亿用于功率器件扩产，包括建设 8 英寸的碳化硅和氮化镓生产线。

　　东芝表示，未来这种“外延设备 + 外延片 + 器件”的垂直整合模式，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

（编辑：ASP站长网）