国产芯的一大举措，首台28nm光刻机即将交付

作为 IC 制造的重要工艺，光刻是其中非常重要的一项操作，据有关数据显示，光刻在 IC 制造中所占的时间最长，而光刻机在半导体整体制造设备成本中占比也高达第一位，约为 27%。

虽然 28nm 工艺与当今国际顶尖的 7nm 乃至是 5nm 光刻机还有数代的隔阂，但是差距已经大大缩小，毕竟在此之前国产光刻机还是 90nm。

据悉，上海微电子是国内技术最领先的光刻设备厂商，从低端切入各个细分市场，现已成为封测龙头企业的重要供应商，国内市场占有率高达 80%，全球市场占有率也有 40%，同时旗下 LED/MEMS/ 功率器件光刻机性能指标领先，LED 光刻机市占率第一。

上海微电子现有 4 大系列的光刻机产品，其中 600 系列步进扫描投影光刻机面向 IC 前道制造，采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可用于 90nm、110nm、280nm 工艺和 200mm、300mm 晶圆生产。

我国作为全球芯片消费最大的国家之一，每年有大量的芯片都依赖进口，比如 2019 年一年我们进口的芯片就达到 2 万亿人民币以上，在这些芯片当中既包括高端的芯片，也包括了一些中低端芯片。

假如未来我国 28 纳米光刻机正式投产了，那么我国芯片产能将会大幅得到提升，而且能够自主生产的不仅仅是 28 纳米的芯片，还有可能包括更高工艺的芯片。

光刻机

所谓光刻，就是使用光在硅上印刷微小的电路图案，从而批量生产各类集成电路芯片。光刻系统本质上是投影系统，把设计师设计的芯片图案缩小之后刻在半导体材料上，经过复杂的加工处理，就得到了各种功能的芯片。

使用的光波长越小，制造芯片的工艺制程越高。光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、 G 线(436nm)、 I 线 (365nm)、深紫外(DUV，包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV，13.5nm)六个阶段。根据所使用的光的波长不同，可以将光刻机分为不同的种类。

我国能够从 90 纳米光刻机直接突破到 28 纳米，这是一个非常明显的进步，我相信按照目前我国对芯片的投入以及各大企业对芯片的重视程度，未来我国光刻机研究肯定会取得更大的进步。

（编辑：ASP站长网）